室温下における第三級ラジカル種の銅触媒脱芳香族付加反応による隣接第四級 炭素構築法開発

摘要

第四級炭素中心を有するシクロヘキサジエノン骨格は、天然物、医薬品化合物、ま たその合成中間体に含まれる重要な構造である。シクロヘキサジエノンの合成法とし て、フェノール誘導体を用いた分子内脱芳香族付加反応が最も直接的な方法である。 しかし、芳香環への付加反応は、環の安定性が著しく損なわれるため、分子間付加反 応による合成は未だに困難な課題である。