Cr単一溶媒でのSiC溶液成長における溶質供給源の形状が成長結晶に与える影響

摘要

TSSG法などのSiC 溶液成長法は、高品質なSiC 結晶が得られる方法として知られている[1]。Si-CrやSi-Tiベース溶媒を使用することで、高成長速度、大口径なSiCバルク結晶成長が達成されてきた。一方で我々は、SiCセラミックを用いたSiを含まないCr単一溶媒からのSiC溶液成長法を提案し、育成温度などの育成条件の変化に対する成長結晶への影響を検討している。これまでの報告の溶質供給源は、カーボンるつぼと SiC セラミックであった。本報告ではSiCセラミックの形状を変更し、この供給源の変化に対する成長結晶への影響を検討した。