走査型非線形誘電率顕微鏡と静電気力顕微鏡を用いた SiO_2 上剥離WSe2 におけるキャリア分布観察

摘要

層状半導体であるWSe_2 は数原子層以下の層数においても半導体としての性質を示すため，電子デバイスへの応用が期待されている．実際，これまでにWSe_2 を用いて両極性動作するFETなどが試作されている．層状半導体材料?デバイスの研究では，キャリア分布をナノスケールで評価可能な手法が有用である．山末，長らは，最近，走査型非線形誘電率顕微鏡（SNDM）を数層MoS_2 に適用し，キャリア種同定とそれらの分布観察が可能であることを明らかにした ．