水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法におけるアンモニア添加を利用した高アスペクトp-GaNナノ構造の作製

摘要

窒化物半導体ナノ構造は、歪緩和効果や貫通転位隔離効果による発光効率の向上、光取出し効率の向上や指向性制御など、光デバイスの性能向上をもたらす技術として期待される。我々は、これまでに GaN の熱分解反応を利用した水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法を提案し、GaNナノ構造の形成やアンモニアガス添加効果等について報告してきた。本稿では、アンモニアの効果を利用した HEATE 法による高アスペクトGaNナノ構造の作製について報告する。