誘電泳動集積法による半導体ナノ粒子修飾カーボンナノチューブガスセンサの作製及び二酸化窒素応答

摘要

本研究では、誘電泳動集積法により作製したZnOナノ粒子修飾CNTガスセンサ及びSnO_2ナノ粒子修飾CNTガスセンサのナノ粒子修飾量とNO_2応答の関係を調べた。ナノ粒子修飾量と応答に関係があり、修飾が増加すると応答値が大きくなった。一方で、修飾量を増加すると応答速度が遅くなった。ZnOナノ粒子を修飾した場合に比べ、SnO_2ナノ粒子を修飾した場合の方が規格化応答量は6.9倍大きくなった。SnO_2ナノ粒子はZnOナノ粒子に比べて粒径が大きいものを使用したため、今後は同様の粒子条件によるセンサ作製及びNO_2応答の取得、また、空気中でのNO_2応答の取得を検討する。