Czochralski; Silicon; defect; nitrogen; vacancy; minority carrier lifetime;
机译:在外延生长室热处理期间,生长缺陷在硅少数型载体寿命下降的作用
机译:锗掺杂的直拉生长硅的高少数族裔寿命
机译:氮化硅阻挡层在III–V层的MBE模拟生长过程中减轻了硅晶片中少数载流子的寿命退化。
机译:Czochralski-生长硅晶片中少数群体缺陷的成长点缺陷的影响
机译:高纯N型硅中金属杂质对少数载流子寿命的影响。
机译:制备工艺和退火处理对硅纳米线薄膜少数载流子寿命的影响
机译:生长点缺陷对Czochralski生长的硅晶片中少数载流子寿命的影响
机译:用于可重复的少数载体寿命测量的晶圆制备和碘 - 乙醇 - 乙醇钝化程序:预印