Ag+イオン放出用ガラスの Ag メタル/ガラス界面反応と 長期安定イオン放出

摘要

イオン注入技術は半導体の表面改質に欠かせない技術であり、工学、生体材料等、様々な分野での 応用が検討されている。しかし、既存のイオン注入装置はイオン発生源としてプラズマを使用する、目的の イオンを取り出すため質量分離装置を用いる必要があるなど、装置が大型かつ高額になりやすい。本研究室 では、イオン伝導性ガラスを先鋭化してイオン放出エミッタとして使用する、簡便なイオン銃について検討 を行っている(Fig. 1) [1,2]。先端サイズを 1 μm 程度にすると 3 kV ほど の加速電圧でも 1 × 108 V/m を超える高電界がガラス先端に一点集中す る。