(225-0330)Ga-Al 融液を用いたAlN 結晶気相成長法における炉内圧力が結晶成長に及ぼす影響

摘要

AlN は広いバンドギャップ(6.01 eV)，高い熱伝導率(2.9 W/cm?K)を有し，AlGaN との高い格子整合性を示すため，AlGaN 系深紫外発光素子の基板材料として期待されている．現在，AlN 結晶の成長法について様々な研究が行われているが，実用化に耐え得るサイズ，結晶品質及びコストでの作製法の確立には至っていない．筆者らはこれまでGa-Al 融液と窒素ガスを原料とした気相成長法により，成長温度1773 K，成長時間5 h の条件において窒化サファイア基板上に高さ2.5 μm 程度の六角錐状AlN の成長を実現し，また炉内減圧が結晶成長に有効であると検討した[1, 2]．本研究ではAlN 結晶の成長速度の向上を目指し，減圧窒素雰囲気下で気相成長を行い，炉内圧力がAlN 結晶成長に及ぼす影響を調査した．