結晶粒界品質の定量的評価手法の提案

摘要

多結晶材料における結晶粒界品質という新しい材質評価パラメータを提案した．銅めっき薄膜配線のSMによる品質劣化過程をそのパラメータを用いて定量的に評価した．その結果，電子線後方散乱回折法で得られるCI値が結晶粒界位置の特定パラメータとして，IQ値がその結晶粒界近傍における原子配列の秩序性評価パラメータとして有効であることを実証した．本評価指標は従来の結晶方位に基づく粒界性状とは異なる原子配列の秩序性に基づく結晶粒界品質という新しい概念の有効性を示した．