( P59-P0039) ドロップチューブおよびガスジェット浮遊溶融凝固法を用いたSi の過冷度と結晶成長

机译：（P59-P0039）落管和气体喷射浮动熔融凝固方法Si过冷和晶体生长

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我々はこれまでドロップチューブ法を用いた単結晶Si 微粒子生成について報告を行ってきたが, 最適実験条件については未解明となる. さらに, 我々独自の手法であるガスジェット浮遊溶融凝固法は, 不活性ガス流のみで試料の浮遊と冷却全てを可能とする手法であり,融液中に発生する電磁対流を抑制でき, かつ, 広範囲な過冷度発現を可能とする手法である. 本研究は上記2 種類の手法を用いた単結晶Si 生成を踏まえ, 過冷度と結晶成長の関係について解析することを目的とした.

机译：虽然我们已经报道了使用滴管法产生的单晶Si颗粒，但是未解决的用于最佳实验条件。此外，我们气体喷射浮动熔化凝固方法是一种独特的方法，不是仅用于活性气流的方法样品漂浮并允许所有冷却，可以抑制熔体中产生的电磁对流，并且是一种允许各种过冷表达程度的技术。这研究了使用技术产生的单晶Si的两种光线旨在分析晶体生长与过冷度之间的关系。

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来源
《日本金属学会秋期大会》|2017年|1 CD-ROM|共1页
会议地点
作者
藤井大輝; 永山勝久;
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正文语种
中图分类 TG-532;
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