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(606-9007)いくつかの半導体に見られる特異なイオン照射挙動とこれを利用した新しい微細構造作製技術

机译:(606-9007)使用该半导体和新的微观结构制造技术中发现的特定离子照射行为

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摘要

1999 年,発表者らは,イオン照射した化合物半導体GaSb表面に微細な空洞のセル状構造が形成されていることを見出した(図1).その後,類似の特異な現象を起こす半導体の探索,現象の機構の解明,そしてこの現象を利用した新しい微細構造作製法の開発を行った.ここでは,その概要を述べる.
机译:1999年,演示者发现,在离子照射的化合物半导体气体的表面上形成细腔的细胞结构(图1)。此后,用于类似具体现象的半导体搜索,阐明现象的机制,以及使用这种现象的新微观结构制造方法的发展。这里,将描述轮廓。

著录项

  • 来源
    《日本金属学会秋期大会》|2013年|1 CD-ROM|共1页
  • 会议地点
  • 作者

    谷脇雅文;

  • 作者单位
  • 会议组织
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种
  • 中图分类 TG3-532;
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-21 04:59:55

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