(359-0116)FeSiB/PZT/FeSiB ME磁気センサの出力特性

摘要

磁歪と圧電現象の相乗効果ME効果を利用したマルチフェロイクス磁気センサは，単純な構造，動作電源不要のため，ホール素子に代わる次世代の磁気センサとして期待される．我々は，低バイアス磁場で作動するFe-Pd薄膜(2~10μm)とPZT三層型ME磁気センサが，優れた出力特性を示すことを報告した[1]．本研究では，等方的で優れた軟磁気特性を示すアモルファスFeSiBとPZTのME磁気センサを試作し，高性能化を目指す．しかし，市販のFeSiBは，膜厚25μm，磁歪λ～27ppmである．我々は，急冷凝固法により厚さの異なったFeSiB薄帯を作製し，それらの物性とME出力を評価する．