GaAs; photoluminescence; polarity; sulphur passivation;
机译:GaAs(110)上近表面InGaAs量子阱的生长和表面钝化
机译:使用O_2 / H_2O和三甲基铝对GaAs(110)表面进行双重钝化
机译:利用TaSiOx原子层沉积工艺对外延(100)和(110)InGaAs进行原位SiO2钝化
机译:含硫溶液的GaAs(110)表面的新型钝化工艺
机译:SiGe(001)和(110)表面的清洁,钝化和官能化用于ALD成核的表面
机译:外延原位SiO2钝化(100)利用TaSiOx原子层沉积工艺制备和(110)InGaAs
机译:通过利用Tasiox原子层沉积过程,原位SiO2钝化外延(100)和(110)IngaAs