ウェットデニューダ方式のアミンアンモニア自動モニタ

摘要

最先端の半導体製造ラインのクリーンレーム環境は、デバイスの品質。信頼性に大きな影響を及ぼす可能性がある。デバイスの高集積化、微細化に伴って、クリーンルーム環免装置内環境に求められる清浄度は益々高くなっており、歩留向上の観点からも汚染物質管理技術のさらなる高性能化が望まれる。化学汚染物質の一つであるアミンおよびアンモニアガスは、レチクルヘイズの原因のみならずArF, KrF等の化学増幅型レジストの水素引き抜き反応を阻害し、T-TOP現象とよばれるレジスト解像不良を引き起こす。これまでに我々は、アンモニア用に拡散スクラバー方式（l）、各種アミン用にインピンジャー方式のガスモニタを開発したの。しかし、後者の捕集効率は70％程度と低く、応答性が遅いため、実濃度を把握するには、同一場所でのサン列ングが5回以上必要であった.