Photoluminescence; PL; Raman; Porous Silicon; FWHM;
机译:通过控制蚀刻时间和施加的电流密度研究n型多孔硅的光致发光效率
机译:电流密度和刻蚀时间对p型多孔硅光致发光和能带隙的影响
机译:n型多孔硅的形貌和光学性质:蚀刻电流密度的影响
机译:不同蚀刻时间和电流密度下多孔硅的光致发光和拉曼特性
机译:使用随时间变化的电流密度泛函理论研究薄膜半导体的整体光学和电子特性,作为晶格参数变化的函数。
机译:多功能多孔硅纳米柱阵列:抗反射超疏水性光致发光和表面增强拉曼散射(SERS)
机译:电流密度和蚀刻时间对P型多孔硅光致发光和能带隙的影响
机译:通过光致发光和拉曼光谱检查来自多孔硅的可见光发射