レーザーラマン分光法を用いた並走流ウェルドラインの分子配向解析 第3報 ウェルド周辺領域における分子配向

摘要

射出成形品の機械的特性の低下を招くウェルドラインは，表面のV溝による応力集中効果や界面での樹脂分子の絡み合い不足と並hで，その分子配向が主要因となる。われわれは偏光レーザーラマン分光法を用いて，ウェルドラインにおける分子配向度の測定を試みている。前報では，障害ピン回りに発生する並走流ウェルドライン界面における分子配向度を測定し，流動距離に応じて配向度が変化することを明らかにした。無論，分子配向はウェルド界面のみに特異的に生じているのではなく，界面を中心とする領域全体に広がりを持つと考えられる。したがってウェルドラインの物性は，この領域全体における配向度の分布状態に影響される。すなわち界面のみならず，より広範囲に測定を行って配向分布を明らかにする必要がある。本報告では，並走流ウェルドラインを有する平板を表面から段階的に切削研磨して，種々の深さの内面を露出させた。各々の露出面についてウェルド周辺における分子配向度を測定し，その全体像の把握を試みた。