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シリコンウェーハ研磨への研磨パッド表面粗さおよび形状の影響

机译:抛光垫表面粗糙度和硅晶片抛光效果的形状效果

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摘要

半導体デバイスの集積度が高まるにつれて、欠陥の無い積層配線の構築および歩留まりの向上のために、その基礎となるシリコンウェーハの高平坦性に対する要求は、ますます高度になっている。シリコンウェーハの生産には研磨液と研磨布を用いる研磨加工が現在広く一般的に行われている。従来は研磨布として不織布タイプが主流であったが、最近では発泡ウレタンタイプが適用されている。発泡ウレタンタイプの問題点としては、研磨レートが低いこと、そのためにパッドの立ち上げ(ブレークイン)に時間がかかり生産性が低下することが挙げられる。この研磨工程においては、被研磨物であるシリコンウェーハが直接接触している研磨パッドの表面状態が、研磨結果に対して大きく影響を及ぼす要因のひとつと考えられる。そこで本研究では、研磨レートの向上および立ち上げ時間の短縮を目的として表面加工を施した研磨パッドが、シリコンウェーハの研磨特性にいかなる影響をおよぼすかに焦点を合わせて研究に取り組hだ。
机译:随着半导体器件的增加,对晶片正变得越来越复杂,以建立一个无缺陷的层压配线和产量的改进的下面的硅的高平坦度的要求的集成度。抛光加工用研磨液和研磨布目前广泛以产生硅晶片进行。以往,非织造织物类型是主流作为研磨布,但最近应用了发泡聚氨酯类型。泡沫聚氨酯类型的问题是,低抛光速率低,因此,它需要时间和生产力下降。在该研磨工序中,研磨垫,在其中在接触直接被处理的硅晶片的表面条件被认为是那极大地影响抛光结果的因素之一。因此,在该研究中,表面处理的抛光垫是专注于是否晶片聚焦在硅晶片的研磨特性的硅的抛光特性。

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