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炭化物の成長速度論にもとづく真空浸炭組織の計算予測

机译:基于碳化物生长动力学的真空渗碳组织计算预测

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摘要

炭化水素との直接反応による真空浸炭は,ガス浸炭に比べ,表面C濃度や処理温度を高くでき,省エネ·迅速熱処理技術として期待される。しかし,処理品の形状によっては粒界にそった炭化物:セメンタイト(θ)が析出しやすく,鋼種に応じて数分オーダーで浸炭/拡散時間の調節が必要である。本研究では,Cr,Si濃度の異なる低炭素鋼の真空浸炭組織を詳細に調査し,モデル実験やシミュレーションの結果と比較することにより,多元合金系における粒界θの成長·固溶速度を検討した。そして,母相となるオーステナイト(γ)の表面境界条件を解析的に与え,浸炭/拡散過程におけるC濃度および粒界θ量の分布を精度良く計算予測する新しいモデルを開発した。
机译:与烃直接反应的真空渗碳可以增加与气体渗碳相比的表面C浓度和处理温度,并期望节能和快速热处理技术。然而,取决于处理过的产品的形状,诸如晶界的碳化物容易沉淀,并且需要在几分钟内调节渗碳/扩散时间,这取决于钢型。在这项研究中,我们详细研究了具有不同Cr和Si浓度的低碳钢的真空渗碳组织,并通过与模型实验和模拟结果进行比较,通过比较来研究多个合金系统中的晶界θ的生长和固溶液。底部。然后,基础相(γ)的表面边界条件被分析地应用于分析,并且开发了一种新模型,以精确地计算C浓度和晶界θ的分布通过渗碳/扩散过程。

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