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感応膜ドリフト抑制に向けたストライプゲート型半導体pHセンサの開発

机译:用于敏感膜漂移抑制的条纹栅极半导体pH传感器的研制

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摘要

連続計測時にセンサの出力電圧が時間経過によって低下するドリフトと呼ばれる問題があり、長期連続計測を行う場合、計測結果の信頼性が著しく低下してしまうため、定期的にpH標準液を使い較正する必要があった。これは、溶液のOH-イオンがISFETのイオン感応膜と反応であると考えられている。予備実験の結果から、この反応が溶液と感応膜間の電界による影響であると考えることができる。そのため、計測中でもこの電界を制御できるストライプゲート型半導体 pH センサを製作しその基本的な特性とドリフト抑制の手法を評価した。その結果、ストライプゲート型半導体pHセンサは、従来のセンサと同様のpH感度をもつことが分かった。さらに 100 時間連続計測時、従来のセンサのドリフト量と比べ、約 67%の低減に成功し、イオンの浸透をゲート電極への電圧印加により抑制できることが確認できた。
机译:存在一个问题,称为传感器的输出电压在连续测量时的时间通道减小,并且在执行长期连续测量时,测量结果的可靠性显着降低,因此pH标准解决方案定期用于校准。有必要。这被认为是与ISFET离子敏感膜的反应和溶液溶液的反应。从初步实验结果中,可以认为该反应是溶液和敏感膜之间的溶液之间的效果。因此,制造了能够在测量期间控制该电场的条纹栅极型半导体pH传感器,并评估基本特性和漂移抑制方法。结果,发现条纹栅极型半导体pH传感器具有与传统传感器相同的pH敏感性。此外,证实,与传统传感器的漂移量相比,确认约67%的降低成功,并且可以通过电压施加到栅电极的离子渗透。

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