III-V/Si; multijunction photovoltaics; epitaxy; in situ reflection anisotropy spectroscopy;
机译:在MOVPE生长期间通过GaASP中AS / P含量的定量
机译:使用阶跃式电池设计来减少基于硅的串联电池的渐变硅锗缓冲层中的光学和电阻损耗
机译:蓝宝石上InN缓冲层的MOVPE生长
机译:在MOVPE生长过程中,III-V-on-Si串联吸收体的GaAsP梯度缓冲层中砷含量的光学原位定量
机译:用于砷化铟和磷化铟器件的高电阻率和晶格失配的铟砷磷和铝铟砷磷缓冲层的金属有机气相外延生长和电学表征。
机译:使用原位光谱直接观察单层MoS2的CVD生长
机译:使用步进电池设计减少用于硅基串联电池的渐变硅锗缓冲层中的光学和电阻损耗