Logic gates; Stress; Dielectrics; Degradation; Gallium nitride; Silicon; Aluminum gallium nitride;
机译:下一代热电器件及其应用中基于GaN的材料的热功率研究
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机译:基于氮化镓MIS-HEMT CASCODE器件的可靠性表征,用于电力电子应用
机译:用于新型器件的GaN基异质结构的pendeo-Epitaxy概述;会议文件