Gain; Phased arrays; Transmission line measurements; Transceivers; Phase shifters; Bandwidth; Voltage control;
机译:采用SiGe BiCMOS的全集成94 GHz双极化TX和RX相控阵列芯片组,工作温度高达105°C
机译:具有高TX输出功率的35-GHz TX和RX前端,用于CMOS技术的KA频段FMCW相控阵雷达收发器
机译:一个71-76GHz宽带接收器前端,用于分阶段阵列应用在0.13 mu SiGe Bicmos技术中
机译:适用于120 GHz相控阵雷达系统的0.1mm2 SiGe BiCMOS RX / TX通道前端
机译:硅锗BiCMOS相控阵天线前端,用于极端环境应用。
机译:集成在基于纤维素的多层基板上的24 GHz前端用于多普勒雷达传感器。
机译:SiGe BiCMOS技术的X波段相控阵雷达系统低噪声放大器的设计