【24h】

Defect Evolution During Silicon SmartCut

机译:硅智能拼接期间的缺陷演变

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摘要

We describe here the sequence of evolution of defects after hydrogen alone or hydrogen plus helium implantation in silicon, from matrix incorporation up to microcracks formation. We detail the different steps of the process, concentrating on experimental results from X-ray scattering and IR microscopy observations.
机译:我们在此描述氢后缺陷的缺陷序列或硅加氦气植入硅,从基质掺入到微裂纹形成。我们详细介绍了该过程的不同步骤,专注于X射线散射和IR显微镜观测的实验结果。

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