EUV; BEOL; design style; metal; cut block; edge placement error; line edge roughness; elongated via;
机译:FinFET在7nm和5nm CMOS技术节点上的发展
机译:需求7nm过程峰,玩家眼睛5nm
机译:边缘放置错误的基本原理和EUV的影响:传统的设计规则计算是否可以在EUV时代起作用?
机译:EUV构图方案对7nm / 5nm节点BEOL层的不同设计风格及其基本规则的影响
机译:基于较低技术节点(7nm)的不同FINFET的静态随机存取存储器设计
机译:FinFET Cu BEOL工艺中金属间介电层等离子体诱发损伤的测试图案设计
机译:最先进的EUV材料和7nm节点及超越的过程