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A Single-Electron Tunneling Reset-Set Flip-Flop

机译:单电子隧道复位设置触发器

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摘要

In this paper, a new Reset-Set flip-flop fully implemented with single-electron devices is proposed. Its topology derived from NAND gates and was validated at room temperature by simulation. Furthermore, a comparison between the proposed single-electron device and MOS devices in terms of power consumption and occupied area is presented.
机译:本文提出了一种用单电子器件完全实现的新的复位集触发器。它的拓扑来自NAND门,并通过模拟在室温下验证。此外,提出了在功耗和占用区域方面所提出的单电子器件和MOS器件之间的比较。

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