机译:具有高k /金属栅结构的金属氧化物半导体器件中高k / SiO_2界面处偶极子形成的物理起源
机译:高k / SiO_2界面处偶极子形成导致高k金属氧化物半导体器件的平带电压漂移的实验证据
机译:混合钛铝氧化物层作为下一代互补金属氧化物半导体器件的替代高k栅极电介质
机译:用于下一代替代通道和FINFET器件结构上的高压模拟和I / O器件的沉积ALD SiO_2高k /金属栅极接口
机译:具有原子层沉积的高k电介质的III-V沟道MOS器件:接口和载流子传输研究
机译:在存在随机界面陷阱的情况下16nm栅极高κ/金属栅极体FinFET器件的电特性波动
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