机译:非易失性存储应用中铜-碳混合层的纳米级电阻转换
机译:功能性石墨烯纳米片上的非破坏性ALD阻挡氧化层作为非挥发性记忆体
机译:用于非易失性存储应用的非晶氧化镓薄膜的单极电阻切换行为
机译:用于非易失性电阻式开关存储器应用的ALD生长功能氧化物层
机译:基于开关过程的建模控制非易失性铪 - 氧化物电阻开关存储器的变异性
机译:低功耗非易失性器件应用中还原氧化石墨烯存储单元的电阻切换行为
机译:氧化氧化物RRAM装置电阻切换和传导机制的研究,用于新兴的非易失性存储器应用
机译:原子层沉积(aLD) - 沉积二氧化钛(TiO2)厚度对Zr40Cu35al15Ni10(ZCaN)/ TiO2 /铟(In)基电阻随机存取存储器(RRam)结构性能的影响。