机译:采用32 nm高k +金属门CMOS技术的4.0 GHz 291 Mb可扩展电压的SRAM设计,具有集成的电源管理
机译:90纳米体互补金属氧化物半导体技术中衬底掺杂对多节点电荷收集和单事件瞬态传播的调制效应
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机译:32纳米技术节点中的金属颗粒抑制和DOI捕获率提高
机译:ITRS 70和50NM技术节点的包含高K栅极电介质和金属栅电极的器件的制造和评估。
机译:栅堆叠结构和工艺缺陷对32 nm工艺节点PMOSFET中NBTI可靠性的高k介电依赖性的影响
机译:DopingFree肖特基埋藏金属层完全耗尽平面FET,用于SCE抑制SUS-28NM技术节点
机译:金属和非金属矿山安全和健康调查报告:表面非金属矿(砂和砾石)致命性材料事故,2015年8月3日,pinky's aggregate Incorporated,新城,罗德县,北达科他州。矿山编号32-00909。