机译:暗场电子全息图研究退火的Si / SiGeC超晶格中取代C含量的减少
机译:暗场电子全息技术研究Ge_xSi_(1-x)/ Si应变层超晶格中的应变和薄膜弛豫
机译:时间分辨红外光谱研究退火温度对染料敏化TiO_2中深陷阱区背电子转移和分布的影响
机译:通过深场电子全全息,TOF-SIMS和红外光谱研究研究的退火SI / SIGEC超晶图
机译:飞行时间正电子an灭诱导的俄歇电子能谱研究了真空退火下6H-碳化硅的表面改性。
机译:通过红外光谱和电子显微镜研究了三棕榈精层中的辐射损伤。
机译:傅里叶变换红外光谱法研究光系统II电子给体侧氧化还原活性辅助叶绿素的分子相互作用