Double-barrier resonant tunneling structure; Quantum well; Sequential tunneling; Transmission coefficient;
机译:压力对GaAs / In_xGa_(1-x)As / AlAs共振隧穿结构的影响
机译:(110)衬底上应变In_xGa_(1-x)As / GaAs和无应变GaAs / Al_(0.3)Ga_(0.7)As量子点的电子和光学性质
机译:使用In_(0.53)Ga_(0.47)As / In_xGa_(1-x)As / In_(0.53)Ga_(0.47)As量子阱的平面型隧道FET的设计和性能
机译:GaAs / AL_(0.33)GA_(0.67)的隧道特性为/ in_xga_(1-x)作为双屏障谐振隧道结构
机译:砷化铝镓/砷化镓双势垒结构中的共振隧穿。
机译:分子电子学的特色:在扫描隧道显微镜中电子通过双势垒分子结的传输速率
机译:AlGaAs / GaAs双势垒共振隧穿结构对性能极限的内在和外在影响
机译:单侧调制掺杂al(0.33)Ga(0.67)as / Gaas / al(0.33)Ga(0.67)作为单量子阱结构的低温电子传输。 (重新公布新的可用性信息)。