UMSPRITZEN VON SI-NACKTCHIPS MIT THERMOPLAST UND DEREN KONTAKTIERUNG MIT DER LPKF-LDS~R TECHNIK

摘要

Im Beitrag wird eine grundlegend neue Aufbau- und Verbindungstechnik fur das Packaging von Silizium-Chips mit geringen Anschlusszahlen vorgestellt, welche die vielseitigen Moglichkeiten der MID-Techniken (Molded Interconnect Device) nutzt. Die nackten Silizium-Chips werden dabei in Einlegetechnik uber konventionellen Spritzguss mit einem laseraktivierbaren LCP (Liquid Crystal Polymer)-Thermoplast umspritzt. Spritzguss-Simulationen wurden durchgefuhrt, um die Schmelze in der Kavitat so zu lenken, dass der empfindliche Silizium-Chip nicht beschadigt und nur durch die Druckverteilung in seiner exakten Position gehalten wird. Mit dem LPKF-LDS~R-Prozess wird auf das Kunststoffpackage anschliessend mittels Laser das elektrische Leiterbahnlayout strukturiert sowie die Bohrungen zu den elektrischen Kontaktflachen des Silizium-Chips erzeugt. In einem aussenstromlosen Me-tallbeschichtungsprozess werden die laserstrukturierten Bereiche sowie die Bohrungen mit Kupfer, Nickel und Gold beschichtet. Somit kann die Kontaktierung und Verdrahtung des Silizium-Chips direkt auf dem Package realisiert werden, so dass auf klassische Aufbau- und Verbindungstechniken wie z.B. Flipchip- oder Drahtbondtechnik verzichtet werden kann.