電界砥粒制御技術を適用した硬脆材料向け高効率CMP 技術の開発秋田県産業技術センター

摘要

技術革新などで産業の発展を支える電子材料には，シリコンやガラスなど様々な基板がある．最近では，世界的なスマートフォンやタブレット端末の台頭，そして映像の高詳細表示化などによって，ガラス基板の市場需要は年々拡大しており，さらに成長が期待されている．一方，最近では，世界規模で省エネルギーの機運が高まり，特にパワーデバイスにおいて，従来のシリコン半導体からSiCを使った次世代半導体への置き換えが加速し，実用化へ向けた技術開発が進hでいる．いずれの基板においてもその特性を十分に発揮させるためには，無歪みの平滑鏡面にすることが大前提となり，最終仕上げ加工としては，一般的にCMP（Chemical Mechanical Polishing）技術が採用されている．しかし，通常のCMP技術は回転運動を伴うため，研磨界面からのスラリー飛散によって研磨効率が低下するという問題を有している．本研究では，この技術課題を解決するため，電界を研磨界面に印加することによってスラリーが有効に工作物に作用し得る供給技術を検討し，高効率CMP技術の創出を目指している．本論では，まず工作物としてガラス基板を対象に，電界が研磨特性に及ぼす影響を明らかにしたうえで，得られた知見を基に，難加工材料であるSiC基板の高効率CMPに応用し，その基礎的な研磨特性を検証した．