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シリコン太陽電池製造に向けたPFCガスフリーな大気圧ドライエッチング技術の開発

机译:硅太阳能电池生产PFC气体无气压干蚀刻技术的研制

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摘要

現在,市場の主力をなす結晶Si太陽電池の製造工程では,ウェット,ドライ,真空など様々な環境下での表面処理技術が用いられており,製造コストの増大につながっている.このため,さらなる低コスト化のためには,大気圧一貫かつドライ環境下で実施可能,かつスループットの高い処理技術が求められている.とりわけ,太陽電池製造工程においてエッチング技術は欠くことのできない表面処理技術であり,加工変質層の除去など様々な目的で用いられている.一般的にこの様なエッチング処理をプラズマによるドライエッチングで行う場合,F_2などのハロゲンガス,もしくはCF_4等に代表されるperfluorocarbon(PFC)ガスが必要となる.ここで前者は反応性·毒性が非常に高いため,使用時のみならず保管時にも格段の注意が必要となる.また後者は,地球温暖化係数(GWP)が非常に高いため,使用の削減が望まれている.
机译:目前,结晶硅太阳能电池,使市场的主要焦点的制造过程中,在各种环境下,例如潮湿,干燥和真空的表面处理技术时,这导致制造成本增加。因此,为了进一步降低成本,可以在大气压力一致和干燥的环境下实现,以及高通量加工技术。特别地,在太阳能电池制造过程中不可能蚀刻技术,这不是必需的,并且用于各种目的,例如去除加工改变的层。通常,当通过等离子体干蚀刻进行这种蚀刻工艺时,需要由诸如F_2或CF_4的卤素气体表示的全氟化碳(PFC)气体。这里,由于前者是非常高度的反应性和毒性,因此不仅在使用时也需要显着的关注,而且在储存时也需要。后者也希望减少使用,因为全球变暖系数(GWP)非常高。

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