グリーンデバイス用結晶基板の加工プロセス技術の研究開発（第7報）－ダイラタンシー·パッドTMを用いたSiC基板の高速圧加工に関する研究

摘要

GaNやSiCをはじめとする次世代型のワイドギャップ半導体デバイスを製造する上で，半導体基板の加工は非常に重要な要素である．しかし，これらは難加工性の材料であり，非常に長い加工時間と生産コストが費やされていることから，グリーンデバイスの普及には生産性の向上が大きな課題とされている．九州大学DoiProject(Ⅰ)では，一連のプロセスに関わる加工装置／システム，材料·消耗品などのメーカが一体となって協働して研究開発を推進しており，前報で報告している高剛性の高速圧加工装置，および革新的な特殊粘弾性パッド（ダイラタンシー·パッド）の新規開発，次世代デバイスの生産性向上に向けた開発·検討を進めてきた．本報では，高能率·高品位加工の実現を目的に，開発したダイラタンシー·パッドを用いた高速圧条件でのSiC基板の加工特性に関する研究成果を述べる．本検討を展開する中から，ダイラタンシー·パッドと高速圧加工装置の併用によって，難加工性材料基板の加工において従来の加工プロセスを大幅に上回る高能率·高品位加工を実現する見通しを得たので，以下報告する．