NTCDI; OFET; carrier mobility; in-situ; n-type semiconductor; monolayer;
机译:基于萘四甲酸二酰亚胺的场效应晶体管中电子迁移率的厚度依赖性的原位真空测量
机译:超薄有机单晶:制造,场效应晶体管和电荷载流子迁移率的厚度依赖性
机译:有机场效应晶体管中表面形态的厚度依赖性和电荷载流子迁移率
机译:原位探测厚度依赖性萘甲基二酰亚胺基场效应晶体管的场效期迁移率
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:原位退火处理对基于TIPS-并五苯的有机场效应晶体管的迁移率和形貌的影响
机译:现场效应迁移率在植物聚(3-己基烯烯)薄膜场效应晶体管中的纳米结构依赖性