Einfluss der Abscheideparameter auf die Mikrostruktur von Silberdunnfilmen auf LTCC

摘要

Silber (Ag) wird als weitere Standardmetallisierung neben Gold fur LTCC- (Low Temperature Cofired Ceramics) Substrate zunehmend interessanter und wird ublicherweise als Dickschicht in Siebdrucktechnik aufgebracht. Die damit erzielbaren minimalen Strukturbreiten von ca. 50 μm reichen fur viele Hochfrequenzanwendungen auf Grund der kurzen Wellenlangen nicht mehr aus. Als Alternative wird der Einsatz von Dunnfilmtechniken betrachtet, die bisher auf LTCC nicht etabliert sind. Um die sehr guten elektrischen Eigenschaften von Silber auch als Dunnfilm auf LTCC nutzen zu konnen, wird in dieser Arbeit der Einfluss der Abscheideparameter auf die elektrischen Eigenschaften, sowie auf die Mikrostruktur der Dunnfilme mittels REM, AFM und XRD untersucht. Die mittlere Korngrosse betrug durchgangig 33 nm Der Anteil der in [111]-Richtung orientierten Korner und damit die elektrische Leitfahigkeit steigen mit der Plasmaleistung an. Bei Temperaturbehandlung bis 500°C, durch die ein Kornwachstum verursacht wird, sinkt der spezifische Widerstand der gesputterten Schichten maximal um einen Faktor 2. Bei hoheren Temperaturen agglomeriert und sublimiert das Silber, wodurch der Widerstand bis zum kompletten Ausfall der Schicht ansteigt.