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赵彦辉; 史文博; 刘忠海; 赵升升; 王铁钢; 于宝海;
中国科学院金属研究所 材料表面工程研究部 沈阳 110016;
深圳职业技术学院 广东 深圳 518055;
天津职业技术师范大学 天津市高速切削与精密加工重点实验室 天津 300222;
电弧离子镀; 沉积速率; 磁场; 辅助阳极;
机译:工艺参数对磁控溅射法制备氧化铬薄膜的结构和沉积速率的影响
机译:灰色 - 塔布技术在Si衬底上生长的电阻率,沉积速率和抗氮薄膜的电阻率,沉积速率和灵敏度优化
机译:偏压对电弧离子镀TiN薄膜结构和沉积速率的影响
机译:电弧离子镀沉积中石墨阴极的粒子发射控制。
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:工艺参数和添加剂对LSCF6428薄膜电泳沉积的影响(工艺参数和添加剂对电泳胶的影响沉积的LSCF6428膜)
机译:尖晶石氧化物组成对碳沉积速率影响的研究
机译:能够通过缩短源气体和反应气体之间的反应时间来提高沉积速率的薄膜制造装置以及使用该薄膜沉积薄膜的方法
机译:用于沉积非晶态IGZO薄膜的溅射装置,使用该薄膜的电子设备的基板以及制造能够提高沉积速率的显示装置的方法
机译:薄膜沉积的装置和同时提高附着力和沉积速率的沉积方法
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