机译:闪光灯退火和激光尖峰退火对15 nm金属氧化物半导体器件随机掺杂波动的影响
机译:非熔融激光尖峰退火形成超浅结及其在65 nm节点中互补金属氧化物半导体器件中的应用
机译:非晶硅的超短Xe闪灯退火形成的超晶粒突出及其对薄膜晶体管性能的影响
机译:在晶体管性能和图案对32 nm以下节点的SOI-CMOSFET的影响方面,对非熔融激光尖峰退火和闪光灯退火进行了比较研究
机译:闪光灯退火的Cu2ZnSnS4纳米水溶液的拉曼研究
机译:等离子体增强化学气相沉积的炉子和闪光灯退火硅薄膜的比较研究