dopant diffusion in silicon; rapid thermal annealing; transient enhanced diffusion; non-equilibrium point defects; dopant-defect pairs; charge state; mathematical model;
机译:扩展的“五流”模型,用于在VLSI电路中超浅结形成过程中扩散注入的硅中的掺杂剂
机译:扩展的“五流”模型,用于在VLSI电路中的超浅结形成过程中扩散注入的硅中的掺杂剂
机译:超浅植入的p / sup +/- n结中的损伤消除/掺杂扩散权衡
机译:VLSI电路超浅结形成期间硅涂层掺杂剂植入掺杂剂扩散的扩展了“五流”模型
机译:使用等离子体浸没离子注入和外延二硅化钴作为掺杂源的超浅结制造。
机译:勘误至:植入式神经技术:双向神经接口—应用程序和VLSI电路实现
机译:离子注入和硅中掺杂剂扩散的原子尺度模型
机译:离子注入和硅中掺杂剂扩散的原子尺度模型。