机译:通过RIE干蚀刻和KOH湿蚀刻技术结合沿<1120>方向制造GaN基条纹结构,以恢复干蚀刻损伤
机译:使用GaN图案化硅(GPS)技术制造悬浮的GaN微结构
机译:结合反应性离子刻蚀和KOH湿法刻蚀技术对GaN(1100)平面进行平直而平滑的刻蚀
机译:结合各向异性和各向同性干刻蚀技术制备悬浮GAN组织。
机译:干湿GaN蚀刻优化形成高纵横比纳米线
机译:各向异性多步蚀刻用于在不锈钢上大面积制造表面微观结构以控制热辐射
机译:用于在GaN(0001)衬底上制造量子纳米结构的AlGaN / GaN的ECR干蚀刻和选择性MBE生长的研究