Electrical Properties of Bilayer SrBi2Ta2O9/Ba(Zr0.1 Ti0.9)O3 Thin Films for Ferroelectric Random Access Memory Applications

机译：双层SRBI 2 TA 2 O 9 / BA（ZR 0.1 TI 0.9 ）O 3 铁电随机存取存储器应用的薄膜

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Ferroelectric thin films of SrBi₂Ta₂O₉ (SBT) or bilayered SrBi₂Ta₂O₉/Ba(Zr_0.1Ti_0.9)O₃ (SBT/BZT) are successfully deposited on Si substrate under the optimal

机译：Srbi _{2 Ta _{2 O _{9 （sbt）或双层srbi _{2 ta _{2的铁电薄膜 O _{9 / ba（zr _{0.1 ti _{0.9 ）O _{3 （SBT / BZT）在最佳状态下成功沉积在Si衬底上}}}}}}}}}

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来源
《IEEE Conference on ELectron Devices and Solid-State Circuits》|2007年||共4页
会议地点
作者
Tzou W.C.; Chen K.H.; Yang C.F.; Li C.C.;
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会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类 TN43-53;
关键词
barium compounds; bismuth compounds; ferroelectric storage; ferroelectric thin films; oxygen compounds; random-access storage; sputtering; strontium compounds; tantalum compounds; titanium compounds; zirconium compounds; SrBilt; subgt; 2lt; /subgt; Talt; subgt; 2lt; /subgt; Olt; subgt; 9lt; /subgt; -;

机译：钡化合物;铋化合物;铁电储存;铁电薄膜;氧气化合物;随机存取储存;溅射;锶化合物;钽化合物;钛化合物;锆化合物;srbi＆lt;srbi＆gt;ta＆lt;srbi＆gt;ta＆lt;/ sub＆gt;o＆lt;sub＆gt;9＆lt;/ sub＆gt;-;

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