セミアディティブ法回路形成プロセスの電気化学インピーダンススベタトロスコピー（EIS）による評価

摘要

近年、電子機器の高密度実装化や小型携帯化に伴い、プリント配線板における多層構造化、配線の狭小化、使用環境の多様化によって、機器の信頼性に対する重要性が高まっている。技術動向に伴い、絶縁性に影響を及ぼすマイグレーションが注目されている［1-5］。この現象は温度、湿度、電圧、絶縁距離や絶縁材料の性質などを要因とする電気化学的な腐食反応であり、腐食に侵されると電極間が短絡し絶縁劣化故障の原因となる。本研究は、無電解Cuをシード層としたセミアディティブ法による回路形成に対し、Pd触媒除去工程がその絶縁信頼性に与える影響についてマイグレーションを観点とした解析を目的とした。