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【24h】

Solid State Storage, Limits of Flash Memory

机译:固态存储,闪存的限制

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摘要

Flash memory technology has followed Moore's Law for nine generations and with the introduction of 90nm technology, moved into the nanotechnology age. Scaling is expected to continue but with increasingly difficulty. In order to meet technology scaling, the mainstream transistor based flash technologies will start evolving to incorporate material and structural innovations. Based on the introduction of material innovations, it is expected that flash memory cell can scale through at least the end of the decade (2010) using techniques that are available today or projected to be available in the near future.
机译:闪存技术遵循Moore的九代法律,并随着90nm技术的推出,进入纳米技术年龄。预计缩放将继续但越来越困难。为了满足技术缩放,基于主流晶体管的闪光技术将开始不断发展,包括材料和结构创新。基于材料创新的引入,预计闪存单元可以使用今日可用的技术或预计在不久的将来可用的技术来扩展到十年(2010)的结束。

著录项

  • 来源
    《Intermag Conference》|2006年||共1页
  • 会议地点
  • 作者

    A. Fazio;

  • 作者单位
  • 会议组织
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种
  • 中图分类 O441.2-53;
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