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DATA STORAGE METHOD FOR FLASH MEMORY, AND FLASH MEMORY CONTROLLER AND FLASH MEMORY STORAGE SYSTEM USING THE SAME

机译:闪存的数据存储方法以及使用该方法的闪存控制器和闪存存储系统

摘要

A data storage method for storing data into a flash memory chip is provided. The flash memory chip has a plurality of physical addresses, and these physical addresses include a plurality of fast physical addresses and a plurality of slow physical addresses. In the data storage method, the usage rate of the physical addresses is monitored. When the usage rate is not larger than a usage rate threshold value, only the fast physical addresses are used for storing the data into the flash memory chip. When the usage rate is larger than the usage rate threshold value, the fast physical addresses and the slow physical addresses are used for storing the data into the flash memory chip. Thereby, the speed of storing data into the flash memory chip is effectively increased.
机译:提供了一种用于将数据存储到闪存芯片中的数据存储方法。闪存芯片具有多个物理地址,并且这些物理地址包括多个快速物理地址和多个慢速物理地址。在数据存储方法中,监视物理地址的使用率。当使用率不大于使用率阈值时,仅快速物理地址用于将数据存储到闪存芯片中。当使用率大于使用率阈值时,快速物理地址和慢速物理地址用于将数据存储到闪存芯片中。由此,有效地提高了将数据存储到闪存芯片中的速度。

著录项

  • 公开/公告号US2011125954A1

    专利类型

  • 公开/公告日2011-05-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 CHIH-KANG YEH;YONG-LONG SU;

    申请/专利号US20090649739

  • 发明设计人 CHIH-KANG YEH;YONG-LONG SU;

    申请日2009-12-30

  • 分类号G06F12;G06F12/08;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 18:14:25

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