机译:表征沉积在CMOS集成电路上的13和30μm厚的氢化非晶硅二极管的特性,用于颗粒检测应用
机译:基于两个130nm CMOS层的垂直集成的3D技术中的设备和电路的辐射容限
机译:GaAs MESFET与硅CMOS器件和电路共集成的单片工艺
机译:氢化非晶硅器件在CMOS电路上的垂直集成
机译:CMOS读出电路与非晶锗氧化硅非制冷红外测微仪的设计和集成。
机译:n-i-p氢化非晶硅基光伏器件的光谱椭圆偏振法研究
机译:使用兼容CMOS的氢化非晶硅波导,在电信波长处以26.5 dB的增益进行片内参数放大
机译:在高电阻率,探测器级硅上制造的CmOs器件和电路的特性