...
机译:表征沉积在CMOS集成电路上的13和30μm厚的氢化非晶硅二极管的特性,用于颗粒检测应用
CERN, CH-1211 Geneva, Switzerland;
机译:沉积在集成电路上的氢化非晶硅传感器用于辐射检测
机译:尾态联合密度法研究氢化非晶碳化硅薄膜的室温光致发光光谱及其在等离子体沉积氢化非晶碳化硅薄膜中的应用
机译:具有三维集成CMOS读出电路的硅二极管非冷却FPA
机译:氢化非晶硅器件在CMOS电路上的垂直集成
机译:绝缘体上硅CMOS技术中对模拟集成电路的单事件影响的分析和表征。
机译:用于CMOS光子的集成非晶硅p-i-n温度传感器
机译:氢化非晶硅传感器沉积在集成电路上用于辐射探测