III-nitride semiconductor; Vegard's law; lattice constant; band gap bowing parameter;
机译:Al_xIn_(1-x)N的带隙和弯曲参数的Vegard定律偏差
机译:闪锌矿In_(x)Ga_(1-x)N的晶格常数和带隙弯曲参数的Vegard定律偏差
机译:三元III-V合金与Vegard定律的偏差
机译:Vegard的律师差距偏离紫立岩III-氮化物三元合金的带隙和弓形参数
机译:宽带隙单倍铜矿三元合金MBE种植的MGZNO薄膜
机译:GaP1-xBix稀铋化物合金中的带隙和自旋轨道分裂能的巨大弯曲
机译:纤锌矿和氮化锌III族氮化物的能带结构和能隙弯曲参数