机译:基于Ⅲ-Ⅴ异质结的3-5μm光谱范围的非冷却光电探测器
机译:基于Al,Ga,In和Sb的III-V光电探测器近红外光谱响应的理论研究:窗层效应
机译:具有宽光谱范围和增强光响应的大面积MoS2-MoOx异质结薄膜光电探测器
机译:基于III-V杂交功能的2-5μm光谱范围的光电探测器
机译:使用变质外延和杂化III-V异质结构在砷化镓衬底上的多光谱光电探测器。
机译:锰异质结光电探测器光谱响应范围从200 nm到2μm
机译:大区域MOS2-MOOX异质结薄膜光电探测器,具有宽频谱范围和增强的光响应
机译:开发适用于10微米以上光谱范围的III-V势垒光电探测器异质结构。