BiCMOS integrated circuits; bipolar MMIC; heterojunction bipolar transistors; random noise; semiconductor device models; semiconductor device noise; 2 to 10 GHz; BiCMOS technology; base shot noise; base-transit time; bipolar transistor; broadband noise modeling; col;
机译:质子和X射线辐射对互补(npn + pnp)SiGe HBT在厚膜SOI上的直流和交流性能的影响
机译:关于互补(npn
机译:新的互补(npn $ + $ pnp)SiGe HBT技术在厚膜SOI上的单事件瞬态硬度
机译:互补(npn + pnp)SiGe HBT中的宽带噪声建模
机译:SiGe HBT和RF CMOS的高频噪声建模和微观噪声仿真。
机译:SiGe HBT局部应力过程中Au / Pt / Ti-Si3N4界面缺陷和反应的STEM纳米分析
机译:辐射对互补(npn + pnp)siGe HBT中1 / f噪声的影响