CMOS analogue integrated circuits; MMIC amplifiers; integrated circuit design; integrated circuit noise; low-power electronics; 0.18 micron; 0.6 V; 4.5 dB; 5 GHz; 9.2 dB; 900 muW; CMOS design; CMOS micro-power LNA; amplifier; complementary current-reused gain stages; f;
机译:采用薄膜晶圆级封装技术的高价Q $ IC以上电感器,在90nm RF-CMOS 5-GHz VCO和24-GHz LNA上得到展示
机译:在90nm RF-CMOS 5-GHz VCO和24-GHz LNA上展示了采用薄膜晶圆级封装技术的高Q以上IC电感器
机译:用于软件定义的无线电的多频带LNA:用于CMOS中SDR的多频带可重新配置LNA设计的最新进展,微波集成电路技术
机译:CMOS 5 GHz微功耗LNA
机译:可制造60GHz CMOS LNA的设计技术。
机译:使用65 nm CMOS技术单片集成的CMOS-NEMS铜开关
机译:使用准浮栅技术,CMOS微功率,AB类“翻转”电压跟随器